SJ电子行业标准 - 第 64

SJ 20015-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级3DG130型NPN硅高频小功率晶体管详细规范

SJ 20015-1992.Semiconductor discrete deviceDetail specification for NPN silicon high-frequency low-p...

01月16日

SJ 20018-1992.Detail specification for disk - seal tube of type FM24. 1范围 1.1主题内容 SJ 20018规定了FM24型盘封...

01月16日

SJ 20016-1992.Semiconductor diserete device Detail specification for NPN silicon low-power biht-reve...

01月16日

SJ 20017-1992.Detail specification for disk-seal tubes of type FM22、FM24、FM25. 1范围 1.1主题内容 SJ 20017规...

01月16日

SJ 20021-1992.Detail specification for transmitting tube of type FU101F. 1范围 1.1主题内容 SJ 20021规定了FU10...

01月16日

SJ 20011-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for silicon N - channel deplition m...

01月16日

SJ 20012-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for silicon N-channel deplition mod...

01月16日

SJ 20013-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for silicon N-channel deplition mod...

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SJ 20014-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for silicon low-power transistor fo...

01月16日

SJ 1553-1980. SJ 1553条件(以下简称总技)适用于-80~+315℃温度范围内的各种测温型负温度系数热敏电阻器。它具有较高的稳定性、互换性和阻值精度。本总技分为: (1)总则; (...

01月16日