SJ 20306-1993.Detail specification for type FH181A NPN silicon power Darlington transistor.
1范围
1.1主题内容
SJ 20306规定了FH181A型NPN硅功率达林顿晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
1.2外形尺寸
外形尺寸应按GB 7581《半导体分立器件外形尺寸》的F3-04A型及如下的规定(见图1)。
2引用文件
GB 4587- -84双极型晶体管测试方法.
GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸
GJB 33一85半导体分立器件总规范
GJB 128-86半导体分立器件试验方法
3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB 33和本规范的规定。
3.2设计 、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定.
3.2.1引出线材料和涂层
引出线材料应为可伐。引出线表面应为锡层或镍层.对引出线涂层有选择要求时,在合同
或订货单中应予规定。
3.3标志
器件的标志应按GJB 33的规定。
4.质量保证规定
4.1 抽样和检验
抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.4质量一致性检验
质量一致性检验应按GJB 33的规定进行。
4.4.1 A 组检验
A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行。
4.4.2 B 组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。
4.4.3 C组检验
C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行。
4.5 检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定:
4.5.1脉冲 测试
脉冲测试应按GJB 128的3.3.2. 1的规定。
4.5.2热阻
热阻测试应按GB 4587和2.10和下列规定。文章源自标准下载网-https://www.biao-zhun.cn/98665.html
SJ 20306-1993 半导体分立器件FH181 A型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范
