SJ 20066-1992.Semiconductor discrete deviceDetail specification for type 2CL3 silicon high voltage rectifier stack.
1范围
1.1主题内容
SJ 20066规定了2CL3型硅高压整流堆(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33(半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的两个等级(GP和GT级)。
1.2外形尺寸
外形尺寸见图1。
2引用文件
GB 4023-86半导体分立器件第2部分整流二极管
GB 6571-86小功率信号二极管稳压及基准电压二极管测试方法
GJB 33- -85半导体分立器件总规范
GJB 128- -86半导体分立器件试验方法
3蔓求
3.1详细要求
各项婴求应符合GJB 33和本规范的规定。
3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范图1的规定。
3.2.1引出端涂 层
引出端表面应为锡层.对引出端涂层另有要求时,应在合同或订货单中规定(见6.1条)。
3.3 标志
标志应按GJB 33和本规范的规定。
3.3.1极性标志
极性标志如图1所示。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定.
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB 33的规定。
4.3筛选(仅对 GT级)
筛选应按GJB 33的表2和本规范的规定。
4.4质量- 致性检验
质量- -致性检验应按GJB 33的规定,由A组、B组和C组检验或试验组成。
4.4.1 A组检验
A组检验应按GJB 33和本规范中表1的规定进行。
4.4.2 B组检验
B组检验应按GJB 33和本规范中表2的规定进行。
4.4.3 C 组检验
C组检验应按GJB 33和本规范中表3的规定进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应表的规定。文章源自标准下载网-https://www.biao-zhun.cn/97876.html
SJ 20066-1992 半导体分立器件2CL3型硅高压整流堆详细规范
