SJ 20187-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for silicon rectifier diodes for types 2CZ5550 through 2CZ5554.
1范围
1.1主题内容
SJ 20187规定了25550~55型硅整主整流二极管(以下下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB 3半导体分立器件总规范的规定提供供产品保证的三个等(GP、GT和GPT级)。
2引用文件
GB 4023- -86半导体分立器件第2部分整流二极管
GB6571-86小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法
GB7581-87半导体分立器件外形尺寸
GJB 33- -85半导体分立器件总规范
GJB128-86半导体分立器件试验方法
3要求
3.1 详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。
3.2设计 、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范图1的规定。
3.2.1引线涂 层.
引线表面应镀锡。在不影响器件的合格产品性能或G标志的情况下,对引线涂层另有要求时,应在合同或订货单中规定(见6.1条)。
3.2.2器件结构
在芯片的两面和引线之间采用高温冶金键合结构。
3.3标志
器件标志应按GJB 33的规定,型号标志可不限于一行内。制造厂可根据自己的意图省略下列标志。
a.制造厂的识别;
b.检验 批识别代码;
c.型号命名中的2C部份。
3.3.1 极性
器件的负极端应采用鲜明的色带标记，以示出器件的极性。
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SJ 20187-1992 半导体分立器件2CZ5550~5554型硅整流二极管详细规范
