SJ 20177-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for PNP silicon low-power switching transistor for types 3CK 3634~3CK 3637.
1范围
1.1主题内容
SJ 20177规定了3CK3634~3CK3637型PNP硅小功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
1.2外形尺寸
外形尺寸应符合GB 7581《半导体分立器件外形尺寸》中的A3-02B型及如下规定,见图1。
2引用文件
GB4587-84双极型晶体管测试方法
GB 7581-87半导体分 立器件外形尺寸
GJB 33-85半导体分立器件总规范
GJB 128- -86半导体分 立器件试验方法
3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。
3.2设计结 构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定.
3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为柯伐,引线涂层应为镀金或镀锡。对涂层要求选择时,在合同或订单中应明确规定(见6)。
3.3 标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选(仅对 GT和GCT级)
筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行,超过规定极限值的器件不应接收。文章源自标准下载网-https://www.biao-zhun.cn/96970.html
SJ 20177-1992 半导体分立器件3CK3634 ~ 3CK3637型PNP硅小功率开关晶体管详细规范
