SJ 20013-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for silicon N-channel deplition mode field - effect transistor of type CS10 GP、GT and GCT classes.
1范围
1.1主题内容
SJ 20013规定了CS10型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
2引用文件
GB 4586- -84场效应晶体管测试方法
GB 7581--87半导体分立器件外形尺寸
GJB 33--85半导体分立器件总规范
GJB 128-86半导体分立器件试验方法
3要求
3.1 详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。
3.2设计结构和外形尺寸
器件的设计结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定。
3.2.1引出 端材料和涂层
引出端材料应为柯伐.引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时,在合同或订货单中应明确规定(见6)。
3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3 筛选(仅对GT和GCT级)
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。文章源自标准下载网-https://www.biao-zhun.cn/95850.html
SJ 20013-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
