SJ/T 10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理

SJ/T 10739-1996.General principles of measuring methods of MOS random access memory for semiconductor integrated circuits.
SJ/T 10739规定了半导体集成电路MOS随机存储器(以下简称器件)静态参数、动态参数和功能测试方法的基本原理。
SJ/T 10739是参考国际电工委员会(IEC) 147-2 《半导体器件和集成电路测试方法的基本原理》制订的。若无特殊说明，本标准涉及的逻辑均为正逻辑。
1总的要求
1.1若无特殊说明，测试期间，环境或参考点温度偏离规定值的范围应符合器件详细规范的规定。
1.2测试期间，应避免外界干扰对测试精度的影响。测试设备引起的测试误差应符合器件详细规范的规定。
1.3测试期间，施于被测器件的电源电压应在规定值的土1%以内。施于被测器件的其他电参量的精度应符合器件详细规范的规定。
1.4.被测器件与测试系统连接或断开时，不应超过器件的使用极限条件。
1.5在静态参数测试和动态参数测试前，应进行功能测试。
1.6每项测试前应有预置位周期。
1.7测试期间，测试设备或操作者应避免因静电感应而引起器件失效。
2静态参数测试
2.1 输出高电平电压VoH
2.1.1 定义
输出端在施加规定的条件下，使输出端为逻辑高电平H时的电压。
2.1.2测试原理图
输出高电平电压VoH的测试原理图如图1所示。文章源自标准下载网-https://www.biao-zhun.cn/94589.html

SJ/T 10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理