SJ/T 1472-2016.Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3CG1 10 high frequency low power PNP silicon transistor.
引言
本标准适用于3CG110型硅PNP高频小功率晶体管。本标准按照GB/T 6217-1998《半导体器件分立器件第7部分: 双极型晶体管第- -篇高低频放大环境额定 的双极型晶体管空白详细规范》制定，符合GB/T 4589.1- 2006《半导体器件第10部分: 分立器件和集成电路总规范》II 类和GB/T 12560-1999《半导体器件分 立器件分规范》的要求。
4规范性引用文件
下列文件对于本标准的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本标准。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本标准。
GB/T 4587- -1994半导体 分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
GB/T 4589.1- -2006半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范
GB/T 4937- -1995半 导体器件机械和气候试验方法
GB/T 6217- -1998 半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范
GB/T 7581--1987 半导 体分立器件外形尺寸
GB/T 12560- -1999半导体器件 分立器件分规范
5极限值(绝对最大额定值)
极限值见表1。除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。文章源自标准下载网-https://www.biao-zhun.cn/93121.html
SJ/T 1472-2016 半导体分立器件 3CG110型硅PNP高频小功率晶体管 详细规范
