SJ/T 1832-2016.Semiconductor discrete devices Detail specification for silicon NPN low power switching transistor type 3DK102.
引言
本规范适用于3DK102型NPN硅小功率开关晶体管。本规范按照GB/T 6218- -1996《开关用双极型晶体管空白详细规范》制定，符合GB/T 4589. 1- -2006《半导体器件第10部分: 分立器件和集成电路总规范》II类和GB/T 12560--1999《半导体器件分立器 件分规范》的规定。
4规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 2423. 23- -2013 环境试验第2 部分:试验方法 试验Q:密封
GB/T 4587- -1994 半导 体分立器件和集成电路第7 部分:双极型晶体管
GB/T 4589. 1- 2006半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范
GB/T 4937- -1995半导体 器件机械和气候试验方法
GB/T 6218- 1996 开关用双极型晶体管空白详细规范
GB/T 7581- -1987半导 体分立器件外形尺寸
GB/T 12560- -1999 半导体器件分立器件分规范
5极限值(绝对最大额定值)
极限值见表1。除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。文章源自标准下载网-https://www.biao-zhun.cn/93087.html
SJ/T 1832-2016 半导体分立器件 3DK102型NPN硅小功率开关晶体管 详细规范
