SJ/T 1830-2016.Semiconductor discrete devices Detail specification for silicon NPN low power switching transistor type 3DK101.
引言
本规范适用于3DK101型NPN硅小功率开关晶体管。本规范按照GB/T 6218- -1996《开关用双极型晶体管空白详细规范》制定，符合GB/T 4589. 1- -2006 《半导体器件第10部分: 分立器件和集成电路总规范》II类和GB/T 12560- -1999 《半导体器件分立器件分规范》的规定。
4规范性引用文件
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GB/T 2423.23- -2013 环境试验第2 部分:试验方法 试验Q:密封
GB/T 4587- -1994 半导 体分立器件和集成电路第7 部分:双极型晶体管
GB/T 4589. 1- -2006半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范
GB/T 4937-1995 半导体器件机械和气候试验方法
GB/T 6218- -1996开关用双极型 晶体管空白详细规范
GB/T 7581- -1987 半导 体分立器件外形尺寸
GB/T 12560- -1999 半导体器件 分 立器件分规范
AND INFOD
5极限值(绝对最大额定值1
极限值见表1。除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。文章源自标准下载网-https://www.biao-zhun.cn/93086.html
SJ/T 1830-2016 半导体分立器件 3DK101型NPN硅小功率开关晶体管 详细规范
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