SJ/T 1826-2016.Semiconductor discrete devices Detail specification for silicon NPN low power switching transistor type 3DK100.
4规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 2423. 23- -2013 环境试验第2部分:试验方法 试验Q:密封
GB/T 4587- -1994 半导体分立器件和集成电路第7 部分:双极型晶体管
GB/T 4589. 1- -2006半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范
GB/T 4937- -1995 半 导体器件机械和气候试验方法
GB/T 6218- -1996开关用双 极型晶体管空白详细规范
GB/T 7581- -1987半导体分立器件外形尺寸
GB/T 12560- -1999 半导体器件分 立器件分规范
5极限值(绝对最大额定值)
极限值见表1。除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。
7.2 包装盒上的标志
包装盒上的标志包括:
一制造厂 商标;
一制造厂 联系方式。
8订货资料
订货单.上应有下列内容:
产品型号和分档标志， 如3DK100A;
一分档色标;
一质量评 定类别标志I，如3DK100AII ;
一本标准编号:
一其他。
9试验条件和检验要求
试验条件和检验要求按表3~表5的规定。本章中，LTPD抽样引自GB/T 12560- - 1999.文章源自标准下载网-https://www.biao-zhun.cn/93085.html
SJ/T 1826-2016 半导体分立器件 3DK100型NPN硅小功率开关晶体管 详细规范
