SJ/T 11585-2016 串行存储器接口要求

SJ/T 11585-2016.Interface requirements for serial memory.
前言
本标准按照GB/T 1. 1- -2009《标准化工作导则第1部分:标准的结构和编写》给出的规则起草。
本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口。
本标准起草单位:北京兆易创新科技股份有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院、清华大学微电子学研究所、深圳市中兴微电子技术有限公司、深圳市海思半导体有限公司。
本标准主要起草人:苏志强、刘会娟、刘超、高硕、刘第、李锟、武鹏、刘培。
1范围
SJ/T 11585规定了串行与非型快闪存储器(SPI NAND Flash)的物理接口、结构、指令定义、串行快闪存储器接口(SFI) 参数说明等。
SJ/T 11585适用于串行与非型快闪存储器(以下简称器件)的设计、制造和使用。
2规范性引用文件
本章无条文。
3术语和定义
下列术语种定义适用于本文件，
3.1
初始坏块mtal pad block
指出厂时的功能坏块，这些坏块在出厂后不可被使用，制造商在器件出厂t做好标记，以便用户在出厂后使用时查询D
3.2
状态寄存器satus ogisten
存储内部状态的寄存器
3.3
超错error exceeded
实际错误个数超过纠错码(ECC)可纠错能力称为超错。
4物理接口
4.1引出端排列与定义
4.1.16X8 双侧无引脚扁平封装(DFN6X8)
DFN6 X8封装形式的引出端排列如图1所示，封装尺寸描述参见附录A中的A.1。文章源自标准下载网-https://www.biao-zhun.cn/91984.html

SJ/T 11585-2016 串行存储器接口要求