SJ/T 9014.8.2-2018.Semiconductor devices-Discrete devices Part 8-2: Blank detail specification for super junction metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.
1范围
SJ/T 9014.8.2规定了超结金属氧化物半导体场效应晶体管详细规范的编写要求和编写格式。
SJ/T 9014.8.2适用于采用超结原理设计生产的超结金属氧化物半导体场效应晶体管系列产品详细规范的编制。
2规范性引用文件
下列文件对于本文应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅二日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的张用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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