SJ/T 11405-2009 光纤系统用半导体光电子器件 第2部分:测量方法

SJ/T 11405-2009.Semi conductor optoe lectronic devices for fibre optic system applications-Part 2: Measur ing methods.
——球的内 表面和遮光屏表面应有一层高均匀度、高反射系数(不小于0. 8)的漫反射镀层。对积分球和光电探测器应予校准;
——应注意功率损耗引起的峰值发射波长和辐射通量的变化;
——当被测器件为脉冲工作时，光电探测器测得的是辐射平均值。
3.1.5测程序
——将被测器件放置在积分球入口处，避免光电探测器直接受到照射:
——测量辐射功率时，给器件施加规定的正向电流IF， 用光电探测器测量其辐射功率;
——测量正向电流时，给器件施加电流直到使器件达到规定的辐射功率(φ.)，记录此时的电流值。
3.1.6 规定条件.
——环境或管壳温度:
——辐射功率(当测量正向电流时) :
——正向电流(当测量辐射功率时)。
3.2带或不带尾纤的红外发射二极管、 发光二极管的开关时间
3.2.1 目的
测量带或不带尾纤的红外发射二极管、发光二极管的开通时间tom (开通延迟时间t上升时间t)和关断时间t (关断延迟时间t下降时间t)。
3.2.2电路图
电路图见图2。文章源自标准下载网-https://www.biao-zhun.cn/88016.html

SJ/T 11405-2009 光纤系统用半导体光电子器件 第2部分:测量方法