SJ/T 11487-2015.Non-contact measurement method for the resistivity of semi-insulating semiconductor wafer.
1范围
SJ/T 11487规定了半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法。
SJ/T 11487适用于半绝缘砷化镓、磷化铟、碳化硅等高阻半导体材料电阻率的测量，电阻率的测量范围为10^5Ω.cm ~ 10^12Ω.cm。
2规范性引用文件
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GB/T 14264半导体材料术语
3术语和定义
GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。
4方法原理.
非接触式电阻率测试源自电容充放电原理，如图1所示。电阻率R。 与电容充放电弛豫时间t成正比，根据电量变化的弛豫曲线可确弛豫时间t，并最终计算得到电阻率R5。
5干扰因素
测量时应注意以下干扰因素:
a)样品厚度均匀性和有效测量面积的变化对测量结果产生影响，测量试样厚度应均匀，其面积应大于探头面积。
b)测量温度等均会对测量结果产生影响，应注意保持测试环境和试样温度在22℃~24℃范围。
6测量装置
测量装置由下列部分组成:
a) 电容式无接触半绝缘晶片电阻率测定仪:
b) 千分尺，精度±0.01mm,
7环境要求
环境温度为22℃~24℃相对湿度小于70%。测试室应无机械冲击、 振动一无电磁干扰。
8样品制备;
将试样制备成既度为0.5mm~1mm内面平行的圈片或方片，样品的有效测量面积应大于探头面积。
9测试步骤
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SJ/T 11487-2015 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法
