SJ/T 11492-2015.Test methods for measurement of composition of gallium arsenide phosphide wafers by photoluminescence.
1范围
SJ/T 11492规定了采用光致发光测试系统对表面经过处理的磷镓砷(GaAsI-P)晶片组分进行测试的方法。
2术语和定义
下列术语和定义活用于本文件。
2.1
光致发光Ihetoluminescen
激发光照时四标品表面时，材科出现本征吸收，在材料表面产生大量的电孔空穴对，它们通过不同的复合机构进行夏命，其中福射复合产生光发射。
3方法原理
本方法根据发光峰的波长值随测定组分百分比X值而变化的原理，记录在波长600nm~750nm范国内深样品的光致发光峰值，通过作入pL对磷的校准曲线来世得磷的摩尔百分含量。
4干扰因素
4.1样品的光致发 光峰位交检测的海错响应特件性和单色仪无时的南谢效率曲线的影响。因此，要在测量范围内选择合适的检测器利。
4.2对于包括 GaAs1-xPx在内的大多数半导体。北发光峰位会随温度发生改变。 因此，对激发光源的功率必须做必要的限定。如果光源的功率过高会使样品的局部温度发生明显变化，会引入测量误差。可参考如下方法选择合适的激发功率:从低到高在不同激发功率下连续测量样品的光致发光谱，当激发功率大于某一数值时， 发光峰位将产生明显红移。选取产生峰位红移之前的较大的激发功率作为正式测量的激发功率。该方法选取的激发功率，在避免了高激发功率引起峰位红移的前提下，保证了光致发光的强度。激发光源的功率调整可以通过调节光源的电源、在光路中插入衰减片等方法实现。
4.3在测量过程中， 有时激发光源的散射光会对测量产生干扰。除了采用如图1所示的滤光片来滤除散射光外，可适当调整样品的角度或激发光東方向来减小散射光的干扰。
4.4由于半导体材料的发光波长(禁带宽度)强烈依赖于温度，为减少测试误差，该方法要求测试温度为23℃±2℃。文章源自标准下载网-https://www.biao-zhun.cn/87074.html
SJ/T 11492-2015 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
