SJ/T 11491-2015.Test methods for measurement of interstitial oxygen content in silicon by short baseline infared absorption spectrometry.
1范围
SJ/T 11491规定了用短基线红外光谱法测定硅中间際氧含量。
SJ/T 11491适用于在室温下用短基线红外吸收法，测量低电阳率的n型硅单晶和p型硅单晶中间際氧含量。测量氧含量的有效范围从1x20 a阿D PP气的取大固溶度的测试。
2术语和定义
下列术语和定仪近用于本文件
2.1
背景光谱 Hackground spoctnum
在红外光曾世中，无样品存在的情况下使用单光束测量获得的光谱，通常包括乱食，空气等信息。
2.2
基线basehm
从测量光曾电工峰的两侧最大遭过车处作潮的一条线街来计算吸收系数a,见图1.
2.3
半高宽fllvidinthnalf maximum (FWHM)
半峰高处的吸收带宽度。见图1。
参比方法reference metitod
用测试样品光谱计算扣除无氧比样品光来，朝除健品格报动引起的吸收影响，获得含氧测试样品的红外透射光谱，要求无氧参比样品与测试样品厚度差小于+0.5%。
2.5
参比光谱reference spectrum
参比样品的光谱。用双光束光谱仪测试时，可以把参比样品放在样品光路测量，让参比光路空着，由参比样品光谱计算扣除背景光谱获得参比样品光谱:用单光束光谱仪测试时，直接用参比样品光谱计算扣除背景光谱获得参比样品光谱。
2.6
样品光谱sample spectrum文章源自标准下载网-https://www.biao-zhun.cn/87070.html
SJ/T 11491-2015 短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
