SJ/T 11498-2015.Test method for measuring oxygen contarmination in heavily doped silicon substrates by secondary ion mass spectrometry.
1范围
SJ/T 11498规定了用二次离子质谱法(SIMS) 对重掺硅衬底单晶体中氧浓度总量的测试方法。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用了
GB/T 24580-200重扬利电村底中疆范方的二次离子质谓方法
3术语和定义
GB/T 245-80200界定的衣语和它义适用于本文件。
4方法概述
将单晶硅祥岛区熔硅片:两个参考样品和要制试的样品)装入样品郊中将样品架放在100℃空气中烘烤一个小断然后放入SIMS仪器的样品室。用铯一次离子束轰击在个群品用质谱分析负的二次离子。对样品架什的样品连续进行检测，每个样品溅射三个不同位置/分析其中的氧和硅，并计算每个样品的氧和硅(0450的二次离子强度比。计算每个样品离子强度比的相对标准偏差(RSD)。
如果任何一个非区塔样品的离子强度比的相对标准偏差大于3%，都需要对其进行进一步的测试。然后通过使用标准曲线枝正法因子校正法将SIMS平均08r比转换为红外吸收法测试的等同浓度。
5干扰因素
5.1 样品表面硅氧化物，碳氧化物以及水分子中的氧干扰氧的测试。
5.2 从SIMS仪器样品室吸附到样品表面的氧干扰氧的测试。
5.3 当掺杂浓度低于1X1 020at.cm?， 掺杂离子对氧离子的产额没有影响。
5.4 样品测试之前，在区熔硅样品上测得的氧的SIMS仪器背景应尽可能的低而且稳定。文章源自标准下载网-https://www.biao-zhun.cn/87045.html
SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
