SJ/T 11500-2015 碳化硅单晶晶向的测试方法

SJ/T 11500-2015.Test method for measuring crystallographic orientation of monocrystalline silicon carbide.
1范围
SJ/T 11500规定了利用X射线衍射定向法测定碳化硅单晶晶向的方法。
SJ/T 11500适用于晶型为6H和4H的碳化硅单晶的晶向测定。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用标准，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 14264半导体材料术语
3术语和定义
GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
布拉格角bragg angle
入射的X射线照射到样品上，在满足反射定律的方向设置反射线接收装置，入射线与反射面之间的夹角为布拉格角。
4方法原理
单晶中的原子以三维周期方式排列，可看作由面间距为d的一系列平行平面组成，当一束平行的单色X射线入射到该平面上，且X射线照在相邻平面之间的光程差为其波长的n倍(n为整数)时，就会产生衍射。利用计数器探测衍射线，根据其出现的位置可确定单晶的晶向，如图1所示。
9精密度
在重复性条件下，本方法测得的碳化硅单晶晶向总角度偏离的标准偏差小于0.25°。
10 报告
报告应包括如下内容:
a)样品来源:
b)样品编号、 名称、规格;
c)晶体参考平面:
d)被测平面 与参考平面的两个偏离分量，总角度偏离;
e)测试环境;
f)测试仪器型号:
g)测试结果;
b)测试者姓名、 测试单位、测试日期。文章源自标准下载网-https://www.biao-zhun.cn/87016.html

SJ/T 11500-2015 碳化硅单晶晶向的测试方法