SJ/T 11497-2015 砷化镓晶片热稳定性的试验方法

SJ/T 11497-2015.Test method for thermal stability testing of gallium arsenide wafers.
1范围
SJ/T 11497规定了半绝缘砷化镓(GaAs)晶片热稳定性的试验方法。
SJ/T 11497适用于电阻率在范围半绝缘砷化镓单晶材料的热稳定性试验。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
SI/T 11488半绝缘砷化镓单晶电阻率、霍尔系数和霍尔迁移率的测量方法
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
保护退火Protection of annealing
在退火过程中使用保护层(通常采用氮化硅或二氧化硅)对砷化镓样品表面进行保护，从而减少砷蒸气从样品的表面升华。
3.2
相邻退火Adjacent annealing
将样品置于两片相同的砷化镓之间进行退火,从而减少退火过程中砷蒸气从样品的表面损失。
3.3
热稳定性Thermal stability
同一样品退火试验前后的体积电阻率比值。
4方法
通过热退火前后半绝缘砷化镓相邻晶片体积电阻率的变化来表征材料对热处理的敏感性，即材料的“热稳定性”
5干扰因素
退火温度、退火时间、保护气氛和退火炉洁净度等均会对试验结果产生影响。文章源自标准下载网-https://www.biao-zhun.cn/87014.html

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