SJ/T 11504-2015.Test method for measuring surface quality of polished monocrystalline silicon carbide.
1范園
SJ/T 11504规定了碳化硅单晶抛光片(以下简称“抛光片”)表面质量的目视检验方法。
SJ/T 11504适用于单面或者双面抛光的碳化硅单晶抛光片表面质量的检测。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用标准，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 14264半导体材料术语
GB/T 25915.1-2010洁净室及相关受控环境 第1部分:空气洁净度等级
3术语和定义
GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。
4方法原理
抛光片表面质量缺陷在一定光照条件下可产生光的漫反射，且可被目测观察到。据此可直接(或采用5倍~10倍放大镜)目视检测抛光片的表面缺陷。
5测试设备
5.1高强度汇聚光源: 钨丝灯，离光源100 mm处汇聚光斑直径(20~40) mm，照度不小于16 000 lx。
5.2大面积漫射光源:可调节光强度的荧光灯或乳白灯，使检测面.上的光强度为(430~650) cd.
5.3净化台:洁净度应优于GB/T 25915.1- 2010 规定的ISO5级要求。
5.4真空吸笔: 不可引入任何缺陷。
5.5放大镜: 放大倍数为(5~10)倍。
5.6长度测量工具: 分度值不大于1 mm的钢板尺。
6环境条件
6.1环境温度: (18~28) C.
6.2环境湿度应不大于 75%。
6.3洁净室:洁净度应优于GB 25915.1- 2010 规定的ISO6级要求。文章源自标准下载网-https://www.biao-zhun.cn/86985.html
SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法
