SJ/T 11501-2015.Test method for determining crystal type of monocrystalline silicon carbide.
1范围
SJ/T 11501规定了利用拉曼光谱测定碳化硅单晶结晶类型的方法。
SJ/T 11501适用于碳化硅单晶晶型的测定。
2规范性引用文件
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GB/T 14264华别的材料术语
3术语和定义
GBT 14264%定的以及下列术语和定义适用于本文件。
拉曼散射Ranarscatterng
光通过介质时电于入射光与介质分于运动相互作用而引起的频率发生变化角收射，又称拉曼效应。
4方法原理
当光照射到晶体上晶体中电 子将被极化并产生感应电偶极地， 上散射光，其中除有与激发光频率相同的弹性成分(瑞利散量外还有与激发光频率不相同的非的性成外其中由光学声子引起的非弹性散射称为拉曼散射。晶体中周明性拥列的原子健其平衡位的近不但地振动，这种振动是一种集体运动，形成格波，可将其分解成许多彼此独的的提要，电军校化半会被晶格振动模调制，因此拉曼散射光包含晶格信息，利用它可进行晶型签别
在碳化硅中，由Si-C双原子层之间不同的堆垛方式，形成不同晶型的品体。归纳起来有三类: 3C,nH和3nR.在这些记号中，用C (立方)、H (六方)和R (三方)字母表示晶体的点阵类型，用n表示原胞中包含化学式单位(碳化硅)的数目。3C-SiC只有- -个拉曼活性模，此振动模是三重简并的，可分裂为一个波数为796cm '的横模和一个波数为972 cm'的纵模。nH-SiC和3nR-SiC的结构则要复杂一些， n愈大其原胞中含有的原子数目(2n)愈多，拉曼活性模的数目也就愈多。理论上2H-SiC.4H-SiC、6H-SiC和15R-SiC的拉曼活性模的数目分别为4、10、 16和18。 不同结构碳化硅的Raman活性模数不同，产生Raman峰的位置也不同，因此用其确定碳化硅的品型。文章源自标准下载网-https://www.biao-zhun.cn/86982.html
SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法
